מבוא להתקני מוליכים למחצה

קורס מבוא להתקני מוליכים למחצה מספק הבנה מעמיקה של הפיזיקה והתפעול של התקנים אלקטרוניים מבוססי מוליכים למחצה. הקורס עוסק במושגי יסוד במוליכים למחצה, לרבות מבנה גבישי, אלקטרונים וחורים, תופעות של ייצור ואיחוד, וניתוח תהליכי סחיפה ודיפוזיה. בנוסף, הקורס מתמקד בהבנת התקנים כגון דיודות, טרנזיסטורי BJT, JFET, ו-MOSFET, תוך בחינת המאפיינים החשמליים והפיזיקליים שלהם ויישומיהם בתעשיית האלקטרוניקה והמיקרואלקטרוניקה.

נושאי הקורס

נושאי הקורס – מבוא להתקני מוליכים למחצה
  • 1. מבנה גבישי של מוליכים למחצה

    • מבנה גבישי ומקדמי מילר.
    • אלקטרונים, אטומים ובור פוטנציאל.
    • פסי אנרגיה בגבישים: סיליקון, מבודדים ומתכות.
  • 2. נושאי מטען ותכונותיהם

    • חורים ואלקטרונים.
    • מוליכים למחצה אינטרינזיים ואקסטרינזיים.
    • מסה אפקטיבית ותפקיד פונקציית פרמי.
  • 3. תהליכי סחיפה ודיפוזיה

    • סחיפת נושאי מטען.
    • מוליכות והתנגדות סגולית.
    • תהליך הדיפוזיה ומשוואותיה.
  • 4. דיודת צומת (p-n)

    • מבנה, ייצור ושדות חשמליים.
    • התנהגות במתח קדמי ואחורי.
    • שכבת המיחסור ורמות האנרגיה.
    • משוואת הדיודה ומתחי פריצה (זנר ומפולת).
  • 5. טרנזיסטור דו-קוטבי (BJT)

    • עקרון הפעולה הפיזיקלי.
    • נוסחאות זרמי טרנזיסטור.
    • זרם זליגה ואופיין מוצא.
    • סכמות תמורה ומודל אברס-מול.
  • 6. טרנזיסטור חד-צומת (JFET)

    • סוגי **FET** ופעולתם.
    • עקרון פעולה פיזיקלי ומתח צביטה.
    • תחומי פעולה ומשוואת **I-V**.
  • 7. טרנזיסטור MOSFET

    • מבנה קבל **MOS** ותכונותיו הפיזיקליות.
    • עקרון פעולה פיזיקלי.
    • תחומי פעולה ומשוואת **I-V**.
    • **FLASH MOSFET** וזיכרון השער הצף.

הבינו היטב את משוואות הסחיפה והדיפוזיה: מושגים כמו משוואת הרציפות ומוביליות של נושאי מטען יהיו חיוניים להמשך הקורס.

פתרו תרגילים רבים על דיודות וטרנזיסטורים: חישובי שכבת המיחסור, מתחי פריצה וזרמים בטרנזיסטורים הם החלקים החשובים ביותר בקורס.

תשאלו שאלות : אל תהססו לשאול את הסגל שאלות בכל מה שלא ברור- זה התפקיד שלהם. (לכו לשעות קבלה!!)

השתמשו בעזרי לימוד: לא תמיד ההרצאות והתרגולים מספיקים, היעזרו בהסברים אינטרנטיים, קורסים מקוונים או עזרתונים על מנת למקסם את סיכויי ההצלחה שלכם בקורס.